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0.总述

反激式开关电源是开关电源的一种,开关电源(英语:Switch Mode Power Supply,SMPS),又称交换式电源开关变换器开关电路,是一种高频化电能转换装置,是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压,透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。开关电源的输入多半是交流电源(例如市电)或是直流电源,而输出多半是需要直流电源的设备,例如个人电脑,而开关电源就进行两者之间电压电流的转换。

返驰式变换器(Flyback converters)也称为反激式转换器Flyback变换器,是一种输入及输出电路之间有电气隔离的变换器,可以用在交流-直流转换直流-直流转换。返驰式变换器可以视为是有变压器降压-升压变换器,原理类似降压-升压变换器,而将其电感器转换为变压器,因此除了电压转换外,还有变压器隔离的效果。若是驱动等离子灯或是多倍压器,会省略输出端整流用的二极管,此时会称为返驰式变压器

如果把电力传输网络比作站点,那么开关电源就像是一个个的货车,一个个的火车,把电力分成一份一份的打包带走传输到别的地方。

借用一下B站up主工科男孙老师的小图图来做个描述:

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如果你想要的电源是工频交流电变成所需的直流电的话,这个结构十分满足你的需求。

倘若你只是想把电压进行升降压变换,此时就可以抹去前面的那一部分的整流电路,当然不去除也是可以的,可以作为一种防反接的技术手段。

从图中我们可以看到一个反激电源大致分为以下几个部分:

  1. 电源输入(算上滤波,能量输入部分)
  2. 变压器 (核心部分)
  3. 控制器(驱动部分)
  4. MOS管(控制执行部分)
  5. 副边(输出部分)

一个一个慢慢来捋一下

1.电源输入

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以交流国网工频输入为例,输入为220V50HZ交流电,首先经过整流桥变成了变化率比较大的直流电,然后通过一个比较大的整流电容,变成了比较平稳的直流电,电压大致为220V*1.414=311.08V,我们看作310V直流。细节就不展开了,整流桥也没什么好讲的。

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或者你也可以直接给个直流输入,这样就相当于带隔离的DC-DC变换器,不过纹波会大点,要注意一下滤波。

2.变压器

状态描述

最麻烦,也是最核心的部分。变压器在反激电源中犹如地铁系统的列车,是作为电力运输的工具,地铁列车也是最难搞的那部分。

在反激式开关电源中,变压器的模型分为两个状态。

  1. 通态,此时变压器的原边相当于一个电感,作为储能原件使用,也就是前面说的卡车与地铁。由于二极管的存在,此时变压器副边不会产生电流,负载的电压通过副边的电容来维持。

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  1. 断态,原边MOS断开的时候,由于电感的电流不能突变,电压不会立即消失,此时由于原边的电流方向会反向,副边会感应出产生一个顺向的电流,二极管导通,副边部分进行充电,能量送出去。

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极性反向问题

我猜到很多人搞不懂电流反向的问题,关于原边电流反向,我们聚焦于原边电感。导通的时候是上正下负,可以把电感当作一个小电池,现在给它充电,电流方向从上到下。

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MOS管关断的时候,这个小电池也就是原边电感就要进行放电了,此时电流就会反向。就像是一个弹簧,你使劲按它,它会存储能量,你放开手的时候他就会反过来释放掉那个能量。

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要是还是理解不了,你可以看看下面这个说法:

充电的时候那是那样,上正下负。

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放电的时候由于磁场与电场这两个场能是不能突变的,有个逐渐减小的过程(毕竟是宏观的能量),所以在理解意义上极性是暂时不会变的。还是上正下负,变压器模型可以视作副边为负载,就如图所示,但是此时对于原边电流方向变化了,变成了从下到上。我们人类攻城狮规定了电流是从正极流向负极的方向,所以此时的极性实际上是反过来了。

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关于变压器的计算

其计算极其复杂,目前我知道的有AP法与经验法。最简单的办法就是找别人的经验公式做出一个表格进行简要计算,下面这个是张飞老师做的。

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我自己计算的过程与方法太繁琐了,暂时不在此赘述,改日单独拿出来讨论一下。

3.控制器

以德州仪器经典款开关电源芯片UC3843的手册为例:

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虽然不明白为什么,但是手册的应用实例给的是2843(不过高版本是向下兼容的)。

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接触一个芯片首先要从应用功能看起,这个芯片应用功能是Transformer-coupled DC-DC converters和Switching regulators of any polarity。

然后一个一个看它的引脚功能。

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VCC与GND就不用说了;OUTPUT是MOS管的驱动脚;RT/CT是频率控制脚位;VREF为电压参考脚;ISENSE为电流采样脚位,一般该脚电压要低于1V;VFB与COMP是误差放大器的输入与输出,用于调节反馈环的增益;其余部分参数参考手册就可以一一确认。想要确认其他的参数,首先要确认好自己的需求。比如输入与输出的参数,预期效率等。下图是官方给出的12V4A输出的一个参数示意。

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确认功能后就可以进行定量分析了,首先是芯片的运行频率。

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一般情况下,芯片的运行频率在50K-500K不等,没有layout经验的新手建议低频率开始练手,例如100Khz.

反馈回路

反馈回路也是及其重要的一部分,所谓反馈就是将输出引导到输入端进行比较,芯片根据相对应的差异进行调整,而达到稳压效果。反馈有很多方式,可以直接从电源输出引出来一条线通过RC滤波与分压引到芯片的反馈引脚。也可以在变压器加一路绕组做隔离再通过光耦反馈到芯片的反馈端。

1.直接反馈

例如TI官方给的100K工频的离线式反激电路的示意图,就是直接引出来的输出然后通过电阻分压反馈到3844的Vfb引脚。这种方案便宜、简单,但是牵一发动全身。一旦电阻有问题极易影响到反馈的效果,并且电阻分压的精度不是很高。

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2.隔离反馈

使用较多的方式都是通过一个光耦进行线性耦合做隔离反馈,难度不高并且安全。

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4.MOS管

MOS管作为执行器是必不可缺的,几乎是本次设计第二重要的器件。经过估计原边的峰值电压加上阈值可以达到600V左右,所以选择MOS管的Vds不能低于这个值。同时还要关注MOS管的Rdson参数,这是电源效率低以及发热的重要原因之一,从开发者角度来讲Rdson肯定是越低越好,但同时Rdson小的管子价格一般不是很美丽。还要关注ID这个参数,ID的值不能低于浪涌电流的值,否则有烧管子的风险。

举个例子:

下面三个管子都可以用于600V,2A的场合,但是价格却大相径庭。

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可以看到4N60与STD4NK60ZT4在三个主参数上只是减少了0.4欧姆的内阻,但是价格飙升了2.5倍左右,NCE65T180在三个主参数上都有所升级,价格也升级了不只一倍。

RCD吸收电路

反激变换器在MOS关断的瞬间,由变压器漏感LLK与MOS管的输出电容造成的谐振尖峰加在 MOS 管的漏极,如果不加以限制,MOS管的寿命将会大打折扣。因此需要采取措施,把这个尖峰吸收掉。

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吸收电路的电阻计算公式大致如下:

Rclamp=2×Vclamp×(VclampVor)LLK×Idspeak2×fswR _ { c l a m p } = \frac { 2 \times V _ { c l a m p } \times ( V _ { c l a m p } - V _ { o r } ) } { L _ { L K } \times I _ { d s p e a k } ^ { 2 } \times f _ { s w }}

吸收电路的电容计算公式大致如下:

Cclamp=VclampVripple×fsw×RclampC _ { c l a m p } = \frac { V _ { c l a m p } } { V _ { r i p p l e } \times f _ { s w } \times R _ { c l a m p } }

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另外就是这个二极管,在小功率场景下20W以下时使用慢恢复二极管也没事,反之使用快恢复二极管。